発表内容詳細

13:10~13:40 材料
1)  ZnOナノロッドの構造制御に関する研究:素子化要素技術開発に向けて
発表資料

国立大学法人名古屋工業大学 大学院工学研究科 機能工学専攻 教授 市川 洋
http://thinfilm.web.nitech.ac.jp/

新技術の概要

酸化亜鉛(ZnO)ナノロッドについて、その配向方向の制御、ナノロッド両端への電極を形成など、ZnOナノロッドの高感度性、機能性を活かしたセンサーをはじめとする素子応用に向けた研究成果を紹介する。

従来技術・競合技術との比較

従来一方向に限られていたZnOナノロッドの成長方向を、互いに交差したX字状に成長させることができた。またナノロッド先端をレーザー光で溶融させ、膜化することでナノロッドを電極で挟むことができるようになった。

新技術の特徴

・ZnOナノロッドの成長方向を互いに交差したX字状に成長させることで、マイクロマシン部材への用途拡大が考えられる。
・X字状形状からZnOナノロッドの圧電性を効率よく取り出すことで、ピエゾ発電材への応用が期待される。

想定される用途

・高感度ガスセンサー
・高感度フォースセンサー
・フィルタリングを兼ね備えたガスのセンシング

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13:40~14:10 材料
2)  新規高硫黄含有複素環の有機半導体への応用
発表資料

国立大学法人岐阜大学 工学部 化学・生命工学科 准教授 芝原 文利
http://www1.gifu-u.ac.jp/~murai_ap/

新技術の概要

導伝性材料に必要なHOMO-LUMOギャップを導くことができる、硫黄やセレンを多く含む新規ラダー型複素環化合物の合成、ならびにこれらの有機半導体材料への応用について紹介する。

従来技術・競合技術との比較

従来型のラダー型複素環化合物では、十分な電子受容性を導くことができなかったため、n型半導体への応用は難しかった。今回新規に開発した材料は、硫黄やセレンの酸化数のコントロールにより電子受容性が簡単に向上させることができるため、p型、n型両方の半導体性質を示す可能性がある材料である。

新技術の特徴

・分子中に含まれる硫黄原子の酸化により、分子軌道のエネルギー準位が大きく変化する。
・分子中に含まれる硫黄原子の酸化により、蛍光発光色が大きく変わる。
・末端の置換基に比較的自由な官能基を組み込むことができる。

想定される用途

・有機薄膜トランジスター
・有機薄膜太陽電池
・有機EL素子

関連情報

・サンプルの提供可能

14:30~15:00 材料
3)  固体酸化物形燃料電池の低温作動化に寄与する結晶配向電解質

国立大学法人名古屋工業大学 大学院工学研究科 物質工学専攻 教授 福田 功一郎
http://crystals.web.nitech.ac.jp/

新技術の概要

特定の結晶軸が一方向に高配向したアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、YSZ等の酸化物イオン伝導体に比して500〜700℃での酸化物イオン伝導度が高く、固体電解質等に利用できる。

従来技術・競合技術との比較

我々が提供する新たな電解質は、酸化物イオン伝導経路がc軸に沿って存在するので、高いイオン伝導度を有する。また、電子伝導性が殆ど無いうえ、電極との相性が良く、化学的安定性に優れているという特徴がある。

新技術の特徴

・簡便に結晶配向セラミックスの作製が可能
・600℃で作動する固体酸化物形燃料電池用の電解質への利用
・300℃で作動する酸素センサーへの利用

想定される用途

・燃料電池
・酸素センサー
・二次電池

関連情報

・サンプルの提供可能

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15:00~15:30 材料
4)  サファイア上への窒化アルミニウム(AlN)の成長
発表資料

国立大学法人三重大学 大学院工学研究科 電気電子工学専攻 准教授 三宅 秀人

新技術の概要

サファイア基板の溝加工など煩雑な処理を施さなくても,窒素と一酸化炭素(N2/CO)の混合ガスを用いて、AlN及びサファイアとの平衡状態でアニールすることで、基板の表面荒れがなく、高品質の窒化アルミニウム(AlN)結晶が得られる。

従来技術・競合技術との比較

本発明によれば、サファイア基板の溝加工など煩雑な処理を施さなくても,現在用いられているMOCVD法の成長条件を用いて、AlN膜の結晶性を飛躍的に向上させることが可能となり,高効率のLED(Light Emitting Diode)やLD(Laser diode)デバイスを作製することができる

新技術の特徴

・高温電子素子用の放熱基板

想定される用途

・紫外LED作製
・高耐圧電子デバイス

関連情報

・サンプルの提供可能

15:30~16:00 材料
5)  ウォームプレスを用いた高密度ジオポリマーの短時間作製
発表資料

国立大学法人名古屋工業大学 大学院工学研究科 物質工学専攻 准教授 橋本 忍
http://nitzy.mse.nitech.ac.jp/~hashimotolab/research.htm

新技術の概要

これまでジオポリマーの作製には、数日から1週間程度必要としたが、熱と圧力を同時に引加できるウォームプレス放置を用いて、高密度なジオポリマーを数時間以内で作製することに成功した。

従来技術・競合技術との比較

これまで数日から1週間を要していたジオポリマーの作製時間を数時間に短縮できた。高密度ジオポリマーの中性子線遮蔽能は、従来のセメントと同程度であり、圧縮強度も5倍程度向上した。

新技術の特徴

・その他のセラミックス材料の接着剤
・電磁波遮蔽材料
・無焼成釉薬

想定される用途

・放射性廃棄物の封じ込め材
・無焼成タイル
・耐火物

J-STORE掲載特許情報

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