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材料分野 新技術説明会

日時:2016年07月14日(木) 09:55~11:55

会場:JST東京本部別館1Fホール(東京・市ケ谷)

参加費:無料

主催:科学技術振興機構、鳥取大学、島根大学、鳥取県産業技術センター、島根県産業技術センター

後援:鳥取県、島根県、公益財団法人鳥取県産業振興機構、公益財団法人しまね産業振興財団

協力:中国地域産学官連携コンソーシアム

発表内容詳細

  • 材料

1)天然資源と酵素反応のみから調製されるバイオベースリンクル表面

発表資料

鳥取大学 大学院工学研究科 化学・生物応用工学専攻 助教 井澤 浩則

http://saimotolab.sakura.ne.jp/index.html

新技術の概要

天然の素材と簡便な浸漬操作のみから微細構造表面を製造する手法の開発に成功した。この手法では、リグニン前駆体の酵素触媒重合によって樹木を模倣したスキン層をキトサンフィルム表面に構築する。すると、フィルムの乾燥に伴って、微細なリンクル表面(リンクル波長:約0.5~20µm)が生成する。

従来技術・競合技術との比較

従来のリンクル形成手法は、スキン層の形成と応力の制御に特殊な装置が必要であるが、本技術はそれらを必要としない。また、従来のリンクル材料は、表面が金属、シリカ、又は合成高分子から成るものであったが、本技術では、キトサンをベースとした新しいリンクル表面材料が得られる。また、その表面改質も容易である。

新技術の特徴

・天然資源のみからリンクル材料を製造できる。
・製造に特殊な装置を必要としない。
・得られたリンクル表面への物理吸着や化学修飾による表面修飾も容易である。

想定される用途

・細胞培養足場材料
・生体材料
・光学、電子材料

関連情報

・サンプルあり

  • 材料

2)ガラス基板上の多接合太陽電池を目指したGe(1面上へのGaAs層形成方法

発表資料

島根大学 大学院総合理工学研究科 機械・電気電子工学領域 教授 梶川 靖友

http://www.ecs.shimane-u.ac.jp/~kajikawa/

新技術の概要

ガラス基板上に(111)配向した大粒径多結晶Ge膜を形成する技術を利用して、ガラス基板上にGeとGaAsからなる多接合太陽電池を作製できる可能性がある。しかし、Ge(111)面上に直接GaAs層を形成すると、回転双晶が発生する。本発明は、Ge(111)面上に回転双晶のないGaAs層の形成法を提供する。

従来技術・競合技術との比較

単結晶Ge(100)基板上にGeとGaAsからなる多接合太陽電池を作製する技術は実用化されている。一方、Ge(111)面上にGaAs層を直接形成すると回転双晶が発生することが知られている。本発明では、GaAs層を形成する前に、GaSb緩衝層を形成することで、回転双晶の発生を抑制した。

新技術の特徴

・ガラスの軟化温度以下での形成が可能。
・回転双晶の発生がほぼ完全に抑制できた。
・(111)面上の成長なので、(100)面上の成長で問題となったアンチフェーズ領域の発生はない。

想定される用途

・ガラス基板上の多接合太陽電池
・高速な薄膜トランジスタ
・大面積InGaAs赤外検出器

  • 材料

3)精密シャフトの高精度輪郭形状測定用位置合わせ治具の開発

発表資料

鳥取県産業技術センター 機械素材研究所 計測制御科 科長 木村 勝典

http://www.tiit.or.jp/

新技術の概要

微細精密部品の輪郭形状を迅速かつ高精度に測定するため、特にシャフトと呼ばれる丸棒形状の固定に特化し、容易にかつ短時間で高精度の位置合わせが可能で、水平・直立方向にセットできる治具を開発した。

従来技術・競合技術との比較

既存の治具は重く作業性が悪い上、固定面・セット方向が限定され位置合わせに時間や熟練を要する等課題があったが、輪郭形状評価に影響を及ぼす要因を明らかにし課題をクリアする治具を開発、短時間で容易に誰でも高精度位置合わせを行えるようになった。

新技術の特徴

・広範囲な直径のシャフト固定に対応および水平・直立方向に固定が可能なこと。
・軸合わせ機能は0.1deg/50mmの範囲に誰でも容易にセットできること。
・位置合わせに必要な機能を組み合わせたシンプルな構造とし、軽量化と操作性の向上を図ったこと。

想定される用途

・精密シャフトの輪郭形状測定時の位置合わせ用治具
・球状部品及び円筒状部品の観察時固定用治具
・丸物形状の3次元測定用の固定治具

関連情報

・デモあり
・展示品あり

  • 材料

4)シェブロン型レーザビーム走査による走査領域の局所単結晶化

発表資料

島根大学 大学院総合理工学研究科 機械・電気電子工学領域 准教授 葉 文昌

http://www.ecs.shimane-u.ac.jp/~yeh/

新技術の概要

考案した片側ダブプリズムによりレーザダイオードからの出力を光利用効率70%以上でシェブロン字型ビームに整形し、このビームを半導体膜上へ走査することにより単結晶化させる方法を提供する。

従来技術・競合技術との比較

従来の面照射エキシマレーザ結晶化法と違い、本研究では走査箇所だけを、単結晶化する事ができる為、プロセスコストは総照射面積に反比例することから桁違いに低くでき、また単結晶化できるために、デバイス均一性は向上し、更にキャリア移動度は約5倍大きくなる。

新技術の特徴

・薄膜材料の局所単結晶化
・ロールツーロールプロセス

想定される用途

・大面積フレキシブルディスプレイ
・大面積センシングデバイス

関連情報

・サンプルあり

お問い合わせ

連携・ライセンスについて

鳥取大学 産学・地域連携推進機構 知的財産管理運用部門

TEL:0857-31-6000 FAX:0857-31-5474
Mail:chizaiアットマークml.adm.tottori-u.ac.jp
URL:http://www.cjrd.tottori-u.ac.jp

島根大学 産学連携センター 知的財産創活部門

TEL:0852-60-2290 FAX:0852-60-2395
Mail:crcenterアットマークipc.shimane-u.ac.jp
URL:http://www.crc.shimane-u.ac.jp

鳥取県産業技術センター 企画・連携推進部 企画室

TEL:0857-38-6205 FAX:0857-38-6210
Mail:tsgckikakuアットマークpref.tottori.jp
URL:http://www.tiit.or.jp
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〒102-0076 東京都千代田区五番町7 K’s五番町

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Mail:scettアットマークjst.go.jp

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