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【Webサイトでの技術紹介】ものづくり技術 新技術説明会

日時:2020年06月02日(火) 00:00~00:00

会場:本Webサイトでの技術の紹介

参加費:無料

主催:科学技術振興機構、埼玉県産業技術総合センター、神奈川県産業技術総合研究所、山梨県産業技術センター、東京都立産業技術研究センター

発表内容詳細

  • デバイス・装置

1)超低消費電力メモリにつながるマルチフェロイック材料

発表資料

神奈川県立産業技術総合研究所 次世代機能性酸化物材料プロジェクト 非常勤研究員 重松 圭

https://www.kistec.jp/r_and_d/project_res/labo_intro/post1558574846/

新技術の概要

室温で強磁性および強誘電性を併せ持つマルチフェロイック材料を開発した。この材料では、室温で電場を印加することにより磁化反転させることによって、情報の書き込み・読み取りを行うことが可能であり、磁気メモリとして消費電力の大幅な低下が可能である。

従来技術・競合技術との比較

従来のマルチフェロイック材料は-200℃以下の低温でしか強磁性・強誘電性の両方を示さないため、磁気メモリ素子として実用化するのは困難であった。この発明技術は、室温で電場による情報の書き込み、および磁気情報の読み出しが可能である。

新技術の特徴

・室温で強磁性および強誘電性を併せ持つ新しい不揮発性メモリ材料の開発
・電場の印加によって材料の磁化が反転する現象を利用
・消費電力の少ない情報の書き込み、読み出し過程を利用可能

想定される用途

・超低消費電力磁気メモリ

関連情報

・サンプルあり

  • 材料

2)巨大負熱膨張材料BiNi1-xFexO3の硝酸を用いない合成法

発表資料

神奈川県立産業技術総合研究所 次世代機能性酸化物材料プロジェクト プロジェクトリーダー 東 正樹

https://www.kistec.jp/r_and_d/project_res/labo_intro/post1558574846/

新技術の概要

-178ppm/Kの線熱膨張係数を持ち、わずか18体積%の添加で80ppm/Kのエポキシ樹脂の熱膨張を相殺する、巨大負熱膨張材料BiNi1-xFexO3の工業的な製造方法を確立した。精密光学機器や半導体製造装置への応用が期待される。

従来技術・競合技術との比較

BiNi1-xFexO3は、既存材料であるマンガン窒化物の約5倍の-178ppm/Kのも巨大負熱膨張を示し、動作温度範囲も自由にコントロール可能である。硝酸を用いる従前の合成法では硝煙の発生が工業化の妨げとなっていたが、その問題を解決した。

新技術の特徴

・-178ppm/Kの線熱膨張係数を持つ巨大負熱膨張材料
・硝酸の使用を廃した合成方法
・ゼロ熱膨張樹脂コンポジットへの応用

想定される用途

・精密光学機器
・半導体製造装置
・工作機械

関連情報

・サンプルあり

  • 材料

3)人工オパールによる構造発色技術

発表資料

神奈川県立産業技術総合研究所 機械・材料技術部 主任研究員 小野 洋介

https://www.kistec.jp/

新技術の概要

サブミクロンサイズの周期構造で色を発現する、人工オパールの合成と応用に関する技術である。陶器への応用を中心に、紫、青、緑、赤色を均質に発色する技術や、三次元周期構造による「見る角度によって色が変わる」発色と従来顔料のような角度依存性の無い発色をコントロールする技術を紹介する。

従来技術・競合技術との比較

基材の上に積み重なった粒子が周期構造を形成するため、基材の凹凸の影響を受けずに広い面積にわたって均質に発色できる。酸化ケイ素製の人工オパールであるため、環境にやさしく耐熱性や化学的安定性に優れる。また、高い親水性により、水に濡らすと色が変わる特徴を発現する。

新技術の特徴

・人体や環境にやさしいセラミックス、酸化ケイ素製の人工オパール
・粒径の違いで紫、青、緑、赤等の様々な色を発現
・「見る角度によって色が変わる」「水に濡れていると色が変わる」ユニークな特徴を発現

想定される用途

・ユニークな発色を活かした新しいデザインによる製品の高付加価値化
・レアメタルフリー顔料として、従来顔料の代替

関連情報

・サンプルあり

  • デバイス・装置

4)移動式ダクト清掃装置

発表資料

埼玉県産業技術総合センター 企画・総務室 企画担当 技師 山崎 彰太

https://www.pref.saitama.lg.jp/saitec/index.html

新技術の概要

作業性の悪い環境下でも使用可能な排煙ダクト清掃装置である。ダクトの内周に沿って回転する噴射ノズルを備え、ダクトに沿って移動しながらドライアイスペレットをダクト内壁に噴射することにより、ダクト内を効果的に清掃することが可能である。

従来技術・競合技術との比較

ドライアイスペレットの噴射力を減衰させないためには、緩やかな曲線のノズルが必要である。従来ある管内清掃装置は急角度なノズルが車体の先頭に設置されているため、噴射力が減衰してしまっている。本装置ではノズルを車体の中央部に配置することで緩やかな曲線を可能とし、十分な噴射力を得ている。

新技術の特徴

・ノズルが車体中央部にある
・ノズル回転機構を無動力で実現
・ドライアイスペレットによる洗浄

想定される用途

・無煙ロースターの清掃

  • 製造技術

5)超高周波加熱による小径部品の高精度・極浅焼入れ技術

発表資料

山梨県産業技術センター 甲府技術支援センター 材料・燃料電池技術部 部長 八代 浩二

https://www.pref.yamanashi.jp/yitc/

新技術の概要

超高周波(2MHz)で発振する誘導加熱装置を用い、小径の鋼材部品表面を短時間で極浅く加熱して急冷することにより、少ない熱変形で薄い硬化層を形成させる「高周波熱処理技術」である。硬化層形成により摩耗性や疲労強度向上を実現した。発振にはトランジスタを使用するため小型・低ノイズであり、他の機器への影響が少ないのでインライン化が容易である。

従来技術・競合技術との比較

一般的な高周波熱処理設備は発振周波数が高くないため、小径の被処理物を熱処理すると中心まで硬化してしまう。中心まで硬化すると大きな変形が発生して部品の要求精度を満たせなくなる。また、周波数の高い発振器は大型で大きなノイズ発生をすることが多いため、他の生産設備との組み合わせが困難である。

新技術の特徴

・小型部品の短時間で高精度な表面硬化処理
・小型、低ノイズ、低価格な設備
・容易にインライン化可能

想定される用途

・ネジ
・シャフト
・エンジンバルブ

関連情報

・サンプルあり

  • 製造技術

6)CFRPとアルミニウムの接合強化に向けたコーティング剤

発表資料

東京都立産業技術研究センター 事業化支援本部 地域技術支援部 城東支所 主任研究員 小野澤 明良

https://www.iri-tokyo.jp/

新技術の概要

炭素繊維強化プラスチック(CFRP)とアルミニウムの接合強化を目的とし、アルミナなどの無機フィラーを分散させたコンポジットコーティング剤を開発した。引張せん断強度を評価したところ、コーティングしたCFRPでは、しないものと比べ、初期付着性が20%、長耐久試験後付着性が330%向上することを確認した。

従来技術・競合技術との比較

接合強化のための従来技術として、金属表面に均一な凹凸を作製するための薬品処理や、CFRPと異種材料との間に粘着フィルムで接合する方法がある。薬品処理は環境負荷が大きく、粘着フィルムは新規の専用設備が必要である。本技術はコーティング処理方法であり、環境負荷は小さく、既存設備を用いて処理が可能である。

新技術の特徴

・CFRP/アルミニウムの接合強度向上に向けた接着が可能
・一般的に市販されている2液型エポキシ樹脂系接着剤を用いても接着強度の向上が可能

想定される用途

・自動車などの高強度、軽量材料開発
・ドローンの骨格など玩具製品
・イヤホンなどの電化製品

お問い合わせ

連携・ライセンスについて

埼玉県産業技術総合センター 企画・総務室 企画担当
TEL:048-265-1368 FAX:048-265-1334
Mail:sienアットマークsaitec.pref.saitama.jp
URL:https://www.pref.saitama.lg.jp/saitec/index.html

神奈川県立産業技術総合研究所 企画部 知財戦略課
TEL:044-819-2035 FAX:044-819-2026
Mail:strアットマークnewkast.or.jp
URL:https://www.kistec.jp/

山梨県産業技術センター 企画連携推進部 総合相談・連携推進科
TEL:055-243-6111 FAX:055-243-6110
Mail:yitc-capアットマークpref.yamanashi.lg.jp
URL:https://www.pref.yamanashi.jp/yitc/

東京都立産業技術研究センター 経営企画部 交流連携室
TEL:03-5530-2134 FAX:03-5530-2318
Mail:sangakukoアットマークiri-tokyo.jp
URL:https://www.iri-tokyo.jp/

新技術説明会について

〒102-0076 東京都千代田区五番町7 K’s五番町

TEL:03-5214-7519 Fax:03-5214-8399

Mail:scettアットマークjst.go.jp

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